新元件結合現有儲存單元與先進CMOS技術，實現高投資效率

東京--(美國商業資訊)--全球記憶體解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布，已啟動採用第九代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體技術的1Tb三級單元(TLC)記憶元件的樣品出貨1。這些元件專為需要高效能的中低儲存容量應用而設計，例如支援AI的PC和智慧型手機。

Kioxia繼續憑藉其創新的CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術2和節距式選取閘極汲極(OPS)技術3來推進雙軸策略。在獨特的雙軸策略指導下，Kioxia正同步推進兩條不同的產品線：一是以相對較低的投資成本實現高效能的第九代解決方案；二是利用先進層堆疊技術實現超高容量和卓越效能的第十代技術。

這款全新的第九代BiCS FLASH™ 1Tb TLC元件以第八代BiCS FLASH™技術和先進CMOS技術為基礎，採用230層堆疊製程開發。其NAND介面速度達到4.8Gb/s，較第八代元件提升33%，效能與第十代元件持平4。

秉持「用『記憶』讓世界更美好」的使命，Kioxia將繼續致力於推動技術創新，強化全球合作夥伴關係，並提供驅動現代AI基礎設施的先進儲存解決方案。

  1. 這些樣品旨在用於功能測試；實際規格可能與量產產品存在差異。
  2. 將每個CMOS晶圓和儲存單元陣列晶圓在各自最佳化狀態下分別製造，然後貼合在一起的技術。該技術自第八代BiCS FLASH™產品起便已被採用。
  3. 透過移除未使用的儲存孔，從而縮短位元線並降低字元線電容的技術。該技術自第八代BiCS FLASH™產品起便已被採用。
  4. 1Gb/s計算為1,000,000,000位元/秒。此數值是在Kioxia Corporation的特定測試環境中測得；實際使用中的結果可能會因使用條件而有所不同。

註：

* 產品密度是根據產品內部記憶晶片的密度確定，而非終端用户可用於資料儲存的記憶體容量。由於存在備援資料區、格式化、壞塊及其他限制，消費者可使用的容量會更少，且可能因主機裝置和應用程式的不同而有所差異。詳情請參考相關產品規格。1Gb = 2^30位元 = 1,073,741,824位元。
* 讀寫速度是在Kioxia Corporation的特定測試環境中測得的最佳值；公司不對單個裝置的讀寫速度做出保證。實際讀寫速度可能因所用裝置而異。
* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能第三方公司的商標。
* 本公告旨在提供有關我們業務的資訊，並非也不構成出售要約或邀請或者在任何司法管轄區購買、認購或以其他方式收購任何證券的要約邀請，無意導引參與投資活動，也不應構成任何相關合約的基礎或依據。
* 本文件中的資訊（包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式）在公告發表之日是正確的，但如有更改，恕不另行通知。

關於 Kioxia

Kioxia是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，於2017年4月從1987年發明了NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation脫售而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造以儲存技術為基礎的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高階智慧型手機、PC、汽車系統、資料中心和生成式AI系統）的未來。

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